在最近的國際固態電路會議（ISSCC）上，三星宣布了一項基于LPDDR5規格的重大技術突破——LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。這款DRAM芯片采用三星的第五代10nm級DRAM工藝，僅需1.05V的標準電壓，便能實現驚人的12700 MT/s數據傳輸速率，成功超越了LPDDR5X的最高紀錄。
為了達到這一前所未有的速度，三星引入了兩項獨家電路級技術。第一項是“四相自校準環路”技術。在高速數據傳輸過程中，DRAM內部的四個時鐘相位（0°、90°、180°、270°）必須保持精確對齊。三星的這項技術能夠監測并記錄這些相位對之間的偏差，并通過自動補償機制調整各相位，確保時鐘邊緣整齊均勻。這一機制有效避免了微小的相位偏差對時序和性能的影響。
第二項技術是“AC耦合收發器均衡技術”。在高速數據傳輸場景下，信號往往會遭遇衰減和碼間串擾的問題。三星的這項技術通過增強時鐘信號、優化接收器均衡以及對發射器進行預加重，確保了信號在傳輸過程中的高質量。這不僅滿足了JEDEC對LPDDR5X的數據傳輸和功耗要求，甚至有所超越。
三星的報告指出，在1.05V的電壓下，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片的數據傳輸速率可達12700 MT/s。即使在10700 MT/s的運行條件下，該芯片在0.9V以上的電壓下仍能保持穩定。這一表現充分驗證了三星內存產品技術的可靠性和穩定性。
三星還強調了這兩項專有技術在提升DRAM性能方面的關鍵作用。通過精確的時鐘相位校準和高效的信號傳輸優化，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM不僅在速度上取得了突破，還在穩定性和能效方面表現出色。
業內人士認為，三星的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM將為移動設備、高性能計算等領域帶來革命性的變化。其卓越的性能和穩定性將推動相關行業的進一步發展。
隨著三星LPDDR5-Ultra-Pro DRAM技術的不斷成熟和應用推廣，我們有理由期待這一技術將在未來發揮更加重要的作用，為科技進步和產業升級注入新的活力。
