俄羅斯在高端半導(dǎo)體制造領(lǐng)域邁出了重要一步，近日宣布了其自主EUV光刻機(jī)研發(fā)計劃的具體路線圖。這項雄心勃勃的項目由俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所的領(lǐng)軍人物Nikolay Chkhalo負(fù)責(zé)，旨在打造一款成本更低、生產(chǎn)更為便捷的EUV光刻機(jī)，以挑戰(zhàn)行業(yè)巨頭ASML的市場地位。
與ASML廣泛使用的13.5nm波長EUV光刻機(jī)不同，俄羅斯計劃采用11.2nm波長的激光光源。這一創(chuàng)新之舉預(yù)計能帶來20%的分辨率提升，同時簡化機(jī)器設(shè)計，并顯著降低光學(xué)元件的成本。然而，由于這一波長與現(xiàn)有EUV設(shè)備不兼容，俄羅斯必須從頭開始構(gòu)建一個全新的光刻生態(tài)系統(tǒng)，這無疑是一個漫長且復(fù)雜的挑戰(zhàn)，預(yù)計至少需要十年時間。
Chkhalo強(qiáng)調(diào)，11.2nm波長的選擇不僅帶來了技術(shù)上的優(yōu)勢，還顯著減少了光學(xué)元件的污染問題，從而延長了關(guān)鍵部件的使用壽命。俄羅斯的光刻機(jī)將采用硅基光阻劑，這種材料在更短的波長下能夠展現(xiàn)出更佳的性能，為芯片制造帶來質(zhì)的飛躍。
盡管俄羅斯EUV光刻機(jī)的光源功率僅為3.6千瓦，僅為ASML設(shè)備的37%，但其性能足以滿足小規(guī)模芯片生產(chǎn)的需求。這一特點使得俄羅斯的光刻機(jī)在特定市場領(lǐng)域具有潛在的競爭力，尤其是在對成本有嚴(yán)格控制要求的客戶群體中。
為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，俄羅斯需要在多個方面進(jìn)行技術(shù)更新，包括電子設(shè)計自動化工具、光罩?jǐn)?shù)據(jù)準(zhǔn)備、光學(xué)鄰近校正以及分辨率增強(qiáng)技術(shù)等。這些關(guān)鍵制程的改進(jìn)將確保俄羅斯的光刻機(jī)能夠在實際生產(chǎn)中達(dá)到預(yù)期的性能水平。
