隨著內(nèi)存技術(shù)的不斷進(jìn)步，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商正積極探索下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）的革新方案。近日，據(jù)韓國(guó)科技新聞網(wǎng)站ETNews披露，三星電子、SK海力士及美光科技均對(duì)在即將推出的HBM4內(nèi)存中采用新型的無(wú)助焊劑鍵合技術(shù)展現(xiàn)出了濃厚興趣，并已著手進(jìn)行相關(guān)技術(shù)儲(chǔ)備。
據(jù)了解，HBM內(nèi)存技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)，就以其超高的數(shù)據(jù)傳輸速度和能效比受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。隨著技術(shù)迭代至HBM4階段，16層堆疊結(jié)構(gòu)將成為主流，這要求制造商必須進(jìn)一步壓縮內(nèi)存層間的間隙，以確保整體堆棧高度不超出規(guī)定的775微米限制。
在這一技術(shù)挑戰(zhàn)面前，傳統(tǒng)的有凸塊鍵合技術(shù)雖仍占據(jù)主導(dǎo)地位，但無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)也在不斷發(fā)展中。然而，目前該技術(shù)尚未成熟，難以立即應(yīng)用于大規(guī)模生產(chǎn)。因此，三大內(nèi)存制造商開始將目光轉(zhuǎn)向了無(wú)助焊劑鍵合技術(shù)。
助焊劑在現(xiàn)有的HBM鍵合工藝中扮演著重要角色，它能夠有效清除DRAM芯片表面的氧化層，從而確保鍵合過(guò)程中的機(jī)械和電氣連接不受干擾。然而，助焊劑殘留物也會(huì)增加芯片間的間隙，進(jìn)而影響整體堆棧的高度。
針對(duì)這一問(wèn)題，美光科技表現(xiàn)得尤為積極，已與多家合作伙伴共同測(cè)試無(wú)助焊劑鍵合工藝的可行性。SK海力士也在考慮引入該技術(shù)，而三星電子同樣對(duì)此保持高度關(guān)注。這三大內(nèi)存制造商的準(zhǔn)備程度雖有所不同，但無(wú)疑都認(rèn)識(shí)到了無(wú)助焊劑鍵合技術(shù)在未來(lái)HBM4內(nèi)存生產(chǎn)中的潛在價(jià)值。
