德州儀器（TI）近日宣布，其位于日本會津的工廠正式啟動氮化鎵（GaN）功率半導體產品的生產。這一舉措標志著德州儀器GaN功率半導體的整體產能實現了四倍增長。
德州儀器技術和制造高級副總裁 Mohammad Yunus 透露，公司已成功驗證200mm GaN技術，并在會津工廠實現量產。這一技術被認為是當前最具可擴展性和成本競爭力的GaN制造方法。
隨著會津工廠的量產，德州儀器計劃到2030年將內部制造率提升至95%以上，并確保GaN高功率、高能效半導體產品的穩定供應。
德州儀器還成功進行了300mm晶圓GaN制造工藝的試點，這將使其能夠將GaN器件擴展至900V及更高電壓，開拓更多應用場景。
