近期，存儲行業的競爭愈發激烈，促使NAND技術不斷取得突破。據韓媒ZDNet的最新報道，三星可能將在其下一代NAND閃存技術中，采用中國長江存儲的混合鍵合專利。
據悉，三星計劃于2025年下半年啟動大規模生產其V10（第10代）NAND閃存。這款新型NAND預計將達到約420至430層的堆疊高度，標志著技術上的又一次飛躍。
報道進一步指出，三星與SK海力士正在與長江存儲就一項專利協議進行深入談判。這一消息無疑引起了業界的廣泛關注，因為長江存儲在閃存技術領域的創新已經取得了顯著成果。
長江存儲率先在閃存中引入了晶棧Xtacking技術，該技術通過獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，為NAND閃存帶來了更高的I/O接口速度和更多的操作功能。這一創新加工方式的選擇，使得NAND閃存在性能上實現了顯著提升。
據知情人士透露，長江存儲在大約四年前就已經在該領域建立了強大的專利組合。而三星之前采用的NAND生產技術為COP（Cell on Peripheral），即將外圍電路放置在一個晶圓上，單元堆疊在其上方。然而，隨著堆疊層數的不斷增加，特別是當超過400層時，下層外圍電路所受的壓力增大，對可靠性造成了影響，因此急需尋找替代方案。
在混合鍵合專利方面，美國Xperi、長江存儲和臺積電占據了主導地位。三星認為，在下一代NAND閃存如V10、V11和V12的生產中，很難繞過這些現有專利。因此，選擇與長江存儲進行合作，成為了三星應對技術挑戰的重要策略。
這一合作不僅體現了三星對長江存儲技術實力的認可，也預示著存儲行業將迎來更加緊密的國際合作與技術交流。隨著NAND技術的不斷進步，存儲行業的未來充滿了無限可能。
