英特爾近日在其半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)相關(guān)頁面上宣布了一項(xiàng)重大進(jìn)展，其備受矚目的“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃中的巔峰之作——Intel 18A工藝，已經(jīng)籌備就緒，并計(jì)劃在2025年上半年正式投入流片階段。
這一里程碑式的成就不僅標(biāo)志著英特爾IDM 2.0戰(zhàn)略的深度推進(jìn)，更是英特爾代工服務(wù)（IFS）重振雄風(fēng)的關(guān)鍵一步。對于英特爾前CEO Pat Gelsinger而言，這無疑是一個(gè)值得慶賀的好消息，盡管他已從崗位上退休。
據(jù)悉，Intel 18A工藝將至少應(yīng)用于英特爾下一代移動(dòng)處理器Panther Lake的部分產(chǎn)品中。英特爾透露，Panther Lake芯片預(yù)計(jì)將于今年下半年發(fā)布并開始生產(chǎn)，但由于Intel 18A工藝的初期產(chǎn)能有限，搭載該工藝的筆記本電腦大規(guī)模上市可能要等到2026年。
英特爾還計(jì)劃在2026年推出Nova Lake桌面處理器，這兩款產(chǎn)品被視為英特爾復(fù)興的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，英特爾期望它們能夠顯著提升公司的財(cái)務(wù)狀況。
不僅如此，英特爾還將于明年上半年推出首款基于Intel 18A工藝的服務(wù)器產(chǎn)品Clearwater Forest，該產(chǎn)品原本計(jì)劃在2025年發(fā)布。英特爾強(qiáng)調(diào)，今年的重點(diǎn)是提升“至強(qiáng)”系列處理器的市場競爭地位，以縮小與競爭對手的差距。
關(guān)于Intel 18A工藝，英特爾表示，該工藝采用了創(chuàng)新的PowerVia背面供電技術(shù)和RibbonFET全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)。與Intel 3工藝相比，Intel 18A工藝的密度提升了30%，單位功耗性能提升了15%。據(jù)行業(yè)分析，其SRAM密度已與臺積電的N2制程相當(dāng)，且在功耗和性能平衡方面更具優(yōu)勢。
PowerVia背面供電技術(shù)通過分離供電層與信號層，實(shí)現(xiàn)了芯片密度和單元利用率的提升，幅度達(dá)到5%-10%。相較于傳統(tǒng)的正面供電設(shè)計(jì)，該技術(shù)顯著降低了電阻壓降（IR Drop），在相同功耗條件下，性能提升最高可達(dá)4%。
RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)則采用了納米帶結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了對電流的精確控制。這一創(chuàng)新在芯片元件微縮化的過程中有效降低了漏電率，緩解了高密度芯片的功耗問題。
英特爾強(qiáng)調(diào)，Intel 18A技術(shù)作為IFS的核心競爭力，憑借其多項(xiàng)突破性創(chuàng)新，將成為北美地區(qū)首個(gè)量產(chǎn)的2nm以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，為全球客戶提供更多元化的供應(yīng)鏈選擇。
