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          國產DDR5內存顆粒量產,長鑫存儲突破封鎖良率達80%

             發布時間:2024-12-24 20:27 作者:沈如風

          近日,國產內存領域迎來了新的里程碑事件,金百達與光威兩大品牌攜手發布了采用國產DDR5芯片的內存產品。這兩款新品不僅頻率高達6000MHz,單條容量也達到了16GB,更重要的是,以雙條套裝形式出售,價格僅為499元,引起了市場的廣泛關注。

          盡管官方并未直接點名,但種種跡象表明,這批DDR5芯片的供應商很可能是長鑫存儲。這一消息不僅意味著長鑫存儲已經成功實現了DDR5芯片的規模化量產,更象征著其在內存制造領域邁出了重要的一步。長鑫存儲此前以生產DDR4、LPDDR4、LPDDR4X系列芯片著稱,主要采用19納米制造工藝。而此次DDR5芯片的推出,無疑是對其產品線的重大拓展。

          事實上,長鑫存儲在內存芯片領域的進步早已有跡可循。2023年11月,長鑫存儲正式推出了用于移動端的LPDDR5芯片,這一舉動已經顯示出其在高端內存芯片領域的雄心壯志。如今,長鑫存儲成功加入DDR5芯片的生產行列,與國際巨頭如三星、SK海力士、美光等并駕齊驅,無疑是對其技術實力的有力證明。

          據半導體行業內部人士透露,長鑫存儲的DDR5芯片生產已經全面鋪開,并且產品良率已經達到了約80%。這一數據不僅令人振奮,更顯示出長鑫存儲在內存芯片制造領域已經達到了國際先進水平。值得注意的是,三星和SK海力士的DDR5芯片良率也僅在80-90%之間,這表明長鑫存儲在這一領域已經具備了與國際大廠一較高下的實力。

          不僅如此,長鑫存儲在DDR5芯片的開發過程中還展現出了強大的技術創新能力。據TechInsights的Jeongdong Choi博士透露,盡管長鑫存儲并未公開相關信息,但根據他所掌握的信息,DDR5芯片通常使用G3工藝開發,線寬為17.5納米,而DDR4芯片則使用G1工藝,線寬為22納米。這意味著長鑫存儲在DDR5芯片的開發過程中,不僅采用了更先進的工藝,還實現了更精細的線寬控制,從而提高了芯片的性能和穩定性。

          然而,長鑫存儲在內存芯片制造領域的進步并非一帆風順。由于被美國列入實體清單,長鑫存儲無法獲得與三星、SK海力士等大廠相同的EUV光刻設備,只能依靠現有設備和技術進行研發和生產。在這樣的困境下,長鑫存儲依然能夠以高良率量產DDR5芯片,無疑是一個巨大的技術突破。這一成就不僅展示了長鑫存儲在內存芯片制造領域的強大實力,更為國產內存芯片的發展注入了新的活力和信心。

           
           
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