在近期于舊金山盛大召開的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，全球領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電，揭開了其備受行業(yè)矚目的2納米（N2）制程技術(shù)的神秘面紗，向與會(huì)者詳細(xì)展示了該技術(shù)在性能提升、功耗降低以及晶體管密度優(yōu)化方面的非凡成就。
臺(tái)積電在此次會(huì)議中，特別強(qiáng)調(diào)了其創(chuàng)新的2納米“納米片”技術(shù)。據(jù)透露，與上一代制程技術(shù)相比，N2制程在性能上實(shí)現(xiàn)了高達(dá)15%的顯著提升，同時(shí)在功耗方面降低了多達(dá)30%，能效表現(xiàn)尤為突出。借助環(huán)繞式柵極（GAA）納米片晶體管和N2 NanoFlex技術(shù)的雙重加持，晶體管的密度也實(shí)現(xiàn)了1.15倍的增長(zhǎng)。N2 NanoFlex技術(shù)的運(yùn)用，使得制造商能夠在有限的面積內(nèi)，更加高效地集成各類邏輯單元，從而進(jìn)一步提升了制程的整體性能。
從傳統(tǒng)的FinFET技術(shù)到N2“納米片”技術(shù)的轉(zhuǎn)變，標(biāo)志著臺(tái)積電在電流控制方面取得了重大突破。這一創(chuàng)新技術(shù)采用了堆疊的窄硅帶結(jié)構(gòu)，每條硅帶都被柵極緊密包圍，相較于FinFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更為精準(zhǔn)的電流控制。這一轉(zhuǎn)變使得制造商能夠根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景，靈活調(diào)整參數(shù)，以滿足多樣化的需求。
與3納米及其衍生制程相比，臺(tái)積電的N2制程在性能方面展現(xiàn)出了明顯的優(yōu)勢(shì)。鑒于其顯著的代際改進(jìn)，業(yè)界巨頭如蘋果和英偉達(dá)等，預(yù)計(jì)將會(huì)大規(guī)模采用這一先進(jìn)制程。然而，伴隨著性能的大幅提升，N2制程晶圓的價(jià)格也水漲船高，據(jù)悉將比3納米制程高出10%以上。據(jù)初步估算，一片N2晶圓的價(jià)格可能在2.5萬至3萬美元之間，具體價(jià)格還需等待臺(tái)積電的最終定價(jià)。
值得注意的是，由于初期良率和試生產(chǎn)等因素的限制，N2制程的初期產(chǎn)量將相對(duì)有限。這意味著，盡管其性能卓越，但在普及速度上可能會(huì)稍顯緩慢。不過，隨著技術(shù)的不斷成熟和產(chǎn)量的逐步提升，N2制程有望在未來成為行業(yè)的主流技術(shù)之一。
