2 月 2 日消息，今天凌晨三星正式發(fā)布了該公司的年度安卓旗艦 Galaxy S23 系列，該系列全系搭載第二代驍龍 8 移動(dòng)平臺(tái)，但并非是普通的第二代驍龍 8 移動(dòng)平臺(tái)，而是三星獨(dú)家定制的第二代驍龍 8 移動(dòng)平臺(tái)(for Galaxy)。
第二代驍龍 8 移動(dòng)平臺(tái)(for Galaxy)將用于全系 Galaxy S23 機(jī)型，包括面向歐洲市場的機(jī)型。
與標(biāo)準(zhǔn)版相比，第二代驍龍 8 移動(dòng)平臺(tái)(for Galaxy)最大區(qū)別在于其 CPU 和 GPU 頻率有了提升。第二代驍龍 8 移動(dòng)平臺(tái)(for Galaxy)的 Kryo CPU 核心已被超頻到 3.36GHz(標(biāo)準(zhǔn)版為 3.2GHz)，而 Adreno GPU 的頻率也從 680MHz 提升到 719MHz。
跑分方面，Galaxy S23 系列的 Geekbench 5 單核成績達(dá)到了 1583 分，相比之下，標(biāo)準(zhǔn)版第二代驍龍 8 的單核成績?cè)?1480 分左右，聯(lián)發(fā)科天璣 9200 的單核成績?cè)?1400-1500 分之間，Galaxy S23 系列的單核成績霸榜安卓陣營，多核成績也超過了蘋果的 A15。
那么頻率提高后是否會(huì)帶來散熱問題，對(duì)此三星官方稱：“[Galaxy S23 上的] NPU 被優(yōu)化了 40% 以上，以平衡性能和功耗。而優(yōu)化后的芯片組為 Galaxy S23 系列的電池性能提升做出了貢獻(xiàn)，提高了其整體的電源效率。”具體是否如三星所述，還要對(duì)新機(jī)進(jìn)行測(cè)試才能得知。
此外，三星方面還確認(rèn)，第二代驍龍 8 移動(dòng)平臺(tái)(for Galaxy)是由臺(tái)積電制造，基于 4nm 工藝。
