在電力電子領域，功率器件扮演著電能變換與控制的核心角色，猶如電力電子系統的引擎，廣泛應用于各類電子設備中。近期，一項關于國產高壓抗輻射碳化硅（SiC）功率器件的突破性進展引起了廣泛關注。
中國科學院微電子研究所攜手多個科研團隊，成功研制出國內首款高壓抗輻射SiC功率器件及其配套的電源系統。這一成果不僅標志著我國在高端功率器件領域取得了重要進展，更為航天技術的發展注入了新的活力。目前，該系統已搭載天舟八號貨運飛船，并順利通過了太空第一階段驗證，實現了在電源系統中的在軌應用。
相較于傳統的硅（Si）基功率器件，SiC等第三代半導體材料以其卓越的物理特性，如禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和電子速度快等，為空間電源的傳輸功率和能源轉換效率帶來了顯著提升。這不僅簡化了散熱設備，降低了發射成本，還大幅提高了功率-體積比，為空間電源系統的高能效、小型化和輕量化提供了有力支持。
據中國科學院介紹，此次搭載的SiC載荷系統主要承擔國產自研高壓抗輻射SiC功率器件（包括SiC二極管和SiC MOSFET器件）的空間驗證及其在航天電源中的應用驗證，以及SiC功率器件綜合輻射效應等科學研究任務。這一系統有望在未來逐步提升航天數字電源的功率，使單電源模塊達到千瓦級水平。
經過一個多月的在軌加電試驗，SiC載荷測試數據表現正常，高壓400V SiC功率器件在軌試驗與應用驗證圓滿完成。在電源系統中，其靜態、動態參數均符合預期，充分展示了國產高壓抗輻射SiC功率器件的可靠性和穩定性。
此次搭載第一階段任務的順利完成，標志著我國在高壓抗輻射SiC功率器件領域取得了重大突破。在航天領域，以“克”為計量的空間載荷需求極為苛刻，而SiC功率器件憑借其高效、輕量化的優勢，將成為大幅提升空間電源效率的首選方案。這一創新成果將有力推動空間電源系統的升級換代，為我國航天事業的持續發展提供堅實的技術支撐。
