近期，韓國媒體ETNews披露了一則關于SK海力士在高性能內存領域取得重大進展的消息。據悉，SK海力士第六代12層堆疊高帶寬內存HBM4的測試良率已成功攀升至70%，這一成就不僅標志著其即將邁入量產階段，也預示著SK海力士在HBM4市場的激烈競爭中搶占了先機。
作為半導體行業中衡量產品質量的關鍵指標，良率的提升對于增強企業的市場競爭力至關重要。回顧2024年底，SK海力士的12層堆疊HBM4良率還僅為60%，而僅僅數月之后，這一數字便躍升至70%，其進步速度之快令人矚目。
據業內人士透露，SK海力士在HBM4技術上的迅猛進展，很大程度上得益于其第五代10nm級DRAM（1b）技術的成功應用。這一技術不僅經過嚴格的性能和穩定性驗證，還被廣泛應用于SK海力士的HBM3e產品中，為其積累了寶貴的經驗和技術儲備。
值得注意的是，SK海力士的HBM3e產品曾實現高達80%的目標良率，并顯著縮短了50%的量產時間。基于這一成功經驗，業內人士普遍預測，HBM4 12層堆疊產品也將迅速步入量產階段。目前，SK海力士已完成內部技術的全面開發和評估工作，正準備向客戶提供樣品進行性能測試，一旦測試通過，量產工作將隨即啟動。
SK海力士的12層堆疊HBM4有望被部署在英偉達即將推出的下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。據悉，英偉達計劃將“Grace Hopper”系列的量產時間提前至2025年下半年。這一消息無疑為SK海力士加快提升HBM4良率和推進量產進程提供了強大的動力，以滿足英偉達等客戶對于高性能內存的迫切需求。
隨著SK海力士在HBM4技術上的不斷突破，其在高性能內存市場的地位將進一步鞏固。未來，SK海力士將繼續致力于技術創新和產品研發，以滿足市場對于高性能、高穩定性內存產品的日益增長需求。
