半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團(tuán)近日宣布了一項(xiàng)重大創(chuàng)新，正式推出了全球首款鉬（Mo）原子層沉積（ALD）設(shè)備——ALTUS Halo。這一里程碑式的成就于美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月19日公布，標(biāo)志著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一次重要技術(shù)革新。
ALTUS Halo設(shè)備已經(jīng)在邏輯半導(dǎo)體和3D NAND領(lǐng)域獲得了早期應(yīng)用。在半導(dǎo)體工藝中，金屬布線元器件的互聯(lián)一直扮演著至關(guān)重要的角色。過(guò)去二十多年里，鎢（W）憑借其卓越的溝槽填充能力成為這一領(lǐng)域的首選材料。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，鎢的較高電阻率逐漸成為了制約性能提升的瓶頸。此時(shí)，鉬因其出色的溝槽填充能力和低電阻特性，正逐步成為布線工藝的新選擇。
泛林集團(tuán)高級(jí)副總裁兼全球產(chǎn)品集團(tuán)總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示，ALTUS Halo設(shè)備是原子層沉積領(lǐng)域二十多年來(lái)最重大的突破。該設(shè)備結(jié)合了泛林的四站模塊架構(gòu)和ALD技術(shù)的最新進(jìn)展，為大批量生產(chǎn)提供了工程化的低電阻率鉬沉積。這一創(chuàng)新技術(shù)對(duì)于滿足新興和未來(lái)芯片變化的關(guān)鍵要求至關(guān)重要，包括千層3D NAND、4F2 DRAM以及先進(jìn)的GAA邏輯電路。
美光科技負(fù)責(zé)NAND開(kāi)發(fā)的副總裁Mark Kiehlbauch也對(duì)ALTUS Halo設(shè)備給予了高度評(píng)價(jià)。他表示，鉬金屬化的集成使得美光能夠在最新一代NAND產(chǎn)品中率先推出業(yè)界領(lǐng)先的I/O帶寬和存儲(chǔ)容量。泛林的ALTUS Halo設(shè)備為美光將鉬投入量產(chǎn)提供了可能，進(jìn)一步推動(dòng)了半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。
除了ALTUS Halo設(shè)備外，泛林集團(tuán)還同期推出了一款名為Akara的等離子體蝕刻設(shè)備。這款設(shè)備采用了固態(tài)等離子體源，生成的等離子體響應(yīng)速度提升了100倍，支持更大縱橫比的超高精度蝕刻，以形成復(fù)雜的3D結(jié)構(gòu)。這一創(chuàng)新技術(shù)將為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域帶來(lái)更多的可能性。
