近期，科技界傳來了一則引人注目的消息：三星芯片業(yè)務(wù)的高層親自造訪了美國英偉達(dá)總部，這一舉動背后隱藏著一項重要的技術(shù)展示與合作洽談。據(jù)悉，三星此行的主要目的是向英偉達(dá)展示其最新研發(fā)的1b DRAM芯片樣品，該樣品專為高帶寬內(nèi)存（HBM）設(shè)計。
據(jù)了解，三星此次展示的1b DRAM芯片樣品，是基于英偉達(dá)此前提出的設(shè)計改進要求而精心打造的。這一舉動并不常見，因為三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人通常不會親自向客戶展示樣品。此次訪問，無疑彰顯了三星對英偉達(dá)這一重要客戶的重視程度。
事實上，三星在研發(fā)1b DRAM芯片的過程中曾遭遇不少挑戰(zhàn)。去年，三星曾計劃使用這款芯片生產(chǎn)HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。作為第五代10納米產(chǎn)品，1b DRAM原計劃用于HBM3E的生產(chǎn)。然而，由于上述問題的存在，三星一度考慮放棄1b DRAM，轉(zhuǎn)而使用其前代產(chǎn)品1a DRAM來生產(chǎn)HBM3E 8H和12H，并計劃跳過1b DRAM，直接使用1c DRAM生產(chǎn)HBM4。
然而，英偉達(dá)的堅持改變了三星的計劃。英偉達(dá)方面認(rèn)為，1b DRAM在性能和潛力上具有獨特優(yōu)勢，因此要求三星繼續(xù)改進并投入使用。為了滿足客戶的需求，三星不得不重新調(diào)整研發(fā)計劃，投入更多資源進行1b DRAM的設(shè)計改進。此次三星副董事長兼DS部門負(fù)責(zé)人Young Hyun Jun的親自訪問，正是為了確保三星能夠贏得英偉達(dá)的HBM3E訂單。
值得注意的是，三星的競爭對手SK海力士已經(jīng)在向英偉達(dá)供應(yīng)采用1b DRAM生產(chǎn)的HBM3E 12H產(chǎn)品。同時，美光科技也預(yù)計將在近期開始生產(chǎn)面向英偉達(dá)人工智能加速器所需的HBM產(chǎn)品。面對激烈的市場競爭，三星此次的改進和展示無疑是一次重要的反擊。
三星方面表示，其“改進版”HBM3E的準(zhǔn)備工作進展順利，并計劃在今年第二季度正式量產(chǎn)并供貨。作為DRAM領(lǐng)域的專家，Young Hyun Jun不僅主導(dǎo)了此次1b DRAM的設(shè)計改進工作，還親自參與了與英偉達(dá)的洽談和展示活動。他的專業(yè)知識和豐富經(jīng)驗為三星贏得了寶貴的合作機會。
回顧今年1月的CES展會，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛曾表示，三星需要重新設(shè)計其HBM以通過英偉達(dá)的資格認(rèn)證。如今看來，三星已經(jīng)積極響應(yīng)并完成了這一要求，為未來的合作奠定了堅實基礎(chǔ)。
