存儲(chǔ)領(lǐng)域的知名廠商廣穎電通Silicon Power近期推出了一款創(chuàng)新的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品——MEM3K0E，這款新品專(zhuān)為配備M.2 E-Key插槽的設(shè)備設(shè)計(jì)，于本月20日正式亮相。
根據(jù)M.2 NGFF規(guī)范，M.2設(shè)備擁有多種金手指缺口設(shè)計(jì)，以適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。在主流消費(fèi)級(jí)SSD市場(chǎng)中，M-Key類(lèi)型占據(jù)主導(dǎo)地位，而B(niǎo)-Key類(lèi)型也有一定市場(chǎng)份額。相比之下，E-Key和A-Key則更多地被應(yīng)用于無(wú)線網(wǎng)卡、蜂窩網(wǎng)絡(luò)模塊等無(wú)線連接組件上。廣穎電通此次推出的MEM3K0E固態(tài)硬盤(pán)，打破了這一常規(guī)，為M.2 E-Key設(shè)備提供了全新的存儲(chǔ)解決方案。
MEM3K0E固態(tài)硬盤(pán)采用了PCIe 3.0×1接口，并采用了DRAM-less設(shè)計(jì)，提供了從64GB到512GB的多種容量選擇。這款硬盤(pán)配備了3000 P/E耐久度的3D TLC NAND閃存，以及全盤(pán)動(dòng)態(tài)SLC Cache技術(shù)，確保了數(shù)據(jù)的快速讀寫(xiě)。MEM3K0E還支持熱管理機(jī)制和電源保護(hù)功能，進(jìn)一步提升了其可靠性和穩(wěn)定性。
在性能方面，MEM3K0E固態(tài)硬盤(pán)展現(xiàn)出了出色的實(shí)力。其順序讀寫(xiě)速度分別最高可達(dá)890MB/s和880MB/s，而隨機(jī)4K讀寫(xiě)速度則分別最高可達(dá)200K IOPS和140K IOPS。這樣的性能表現(xiàn)，足以滿(mǎn)足大多數(shù)M.2 E-Key設(shè)備對(duì)于高速存儲(chǔ)的需求。
在可靠性和耐久性方面，廣穎電通MEM3K0E固態(tài)硬盤(pán)同樣表現(xiàn)出色。其MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）預(yù)估值達(dá)到了300萬(wàn)小時(shí)，為用戶(hù)提供了長(zhǎng)久的使用保障。同時(shí)，該硬盤(pán)還擁有3年有限質(zhì)保，以及根據(jù)不同容量提供的質(zhì)保寫(xiě)入量，其中64GB版本對(duì)應(yīng)40TBW，其余容量版本的質(zhì)保寫(xiě)入量則依次倍增。
