近期，半導(dǎo)體行業(yè)的兩大知名分析機(jī)構(gòu)TechInsights與SemiWiki聯(lián)合發(fā)布了一項(xiàng)深度分析，揭示了英特爾即將推出的Intel 18A工藝（接近1.8納米級(jí)別）與臺(tái)積電N2工藝（2納米級(jí)別）的詳細(xì)對(duì)比。分析指出，盡管臺(tái)積電N2工藝在晶體管密度上表現(xiàn)出色，但I(xiàn)ntel 18A工藝在性能方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)。
根據(jù)TechInsights的詳細(xì)數(shù)據(jù)，臺(tái)積電N2工藝的高密度標(biāo)準(zhǔn)單元（HD）晶體管密度高達(dá)313 MTr/mm2，這一數(shù)字顯著超過了Intel 18A工藝的238 MTr/mm2，以及三星SF2/SF3P工藝的231 MTr/mm2。然而，值得注意的是，現(xiàn)代高性能處理器通常會(huì)混合使用高密度、高性能和低功耗標(biāo)準(zhǔn)單元，而關(guān)于Intel和臺(tái)積電在這兩種其他類型標(biāo)準(zhǔn)單元上的具體表現(xiàn)，目前尚缺乏詳盡的對(duì)比數(shù)據(jù)。
TechInsights進(jìn)一步指出，盡管臺(tái)積電N2工藝在HD標(biāo)準(zhǔn)單元上擁有晶體管密度的優(yōu)勢(shì)，但在其他類型的標(biāo)準(zhǔn)單元上，其優(yōu)勢(shì)可能并不明顯。而在性能方面，Intel 18A工藝預(yù)計(jì)將超越臺(tái)積電的N2工藝以及三星的SF2工藝。然而，TechInsights的評(píng)估方法也引發(fā)了一些爭(zhēng)議，因?yàn)槠洳捎昧伺_(tái)積電的N16FF和三星的14nm工藝作為基準(zhǔn)，并結(jié)合了兩家公司公布的節(jié)點(diǎn)到節(jié)點(diǎn)的性能改進(jìn)進(jìn)行預(yù)測(cè)，這種方法的準(zhǔn)確性受到了一定的質(zhì)疑。
Intel 18A工藝的一大亮點(diǎn)是支持PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)，這一技術(shù)可能會(huì)使其在性能和晶體管密度上相對(duì)于不支持該技術(shù)的臺(tái)積電N2工藝更具優(yōu)勢(shì)。然而，值得注意的是，并非所有采用18A工藝的芯片都會(huì)使用PowerVia技術(shù)。
英特爾方面透露，他們計(jì)劃在2025年年中開始量產(chǎn)Intel 18A工藝，首批產(chǎn)品將是Core Ultra 3系列“Panther Lake”處理器。而臺(tái)積電方面則表示，N2工藝預(yù)計(jì)將在2025年底開始大規(guī)模生產(chǎn)，首批產(chǎn)品預(yù)計(jì)最早將于2026年年中上市，面向大眾市場(chǎng)的產(chǎn)品則可能要到2026年秋季才會(huì)推出。至于三星，他們尚未公布SF2工藝的具體量產(chǎn)時(shí)間，僅表示將在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)。
隨著這些先進(jìn)工藝的不斷推進(jìn)，半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈，消費(fèi)者也將有望看到性能更強(qiáng)、功耗更低的電子產(chǎn)品問世。
