在AMD與NVIDIA的激烈市場競爭下，英特爾正尋求新的策略來強化其芯片領(lǐng)域的地位。據(jù)悉，該公司已與臺積電達成擴大合作的意向，計劃至2025年通過采納臺積電的先進制程技術(shù)，來提升自家芯片的性能與競爭力。
根據(jù)內(nèi)部消息，英特爾未來的Lunar Lake與Arrow Lake芯片組將會交由臺積電以3納米工藝進行代工生產(chǎn)，特別是被寄予厚望的Arrow Lake芯片，更被視為英特爾在AI PC領(lǐng)域保持領(lǐng)先的關(guān)鍵武器。這款芯片的設(shè)計目標是在維持高性能表現(xiàn)的同時，顯著降低功耗，以達到更為環(huán)保和節(jié)能的效果。
盡管英特爾在最近的財報中顯示第三季度營收下滑，且虧損額創(chuàng)下新高，達到166億美元，但公司并未因此放棄在晶圓代工領(lǐng)域的投入與布局。相反，英特爾正通過調(diào)整戰(zhàn)略，積極尋求外部合作，以應(yīng)對當前的市場挑戰(zhàn)。
此前，英特爾曾宣布其18A工藝進展超出預(yù)期，然而原計劃應(yīng)用于Arrow Lake高性能處理器的20A工藝已被取消，轉(zhuǎn)而采用外部代工方式。這一轉(zhuǎn)變顯示出英特爾在制程技術(shù)選擇上的靈活性與務(wù)實態(tài)度。
供應(yīng)鏈方面的消息進一步指出，采用臺積電3納米工藝后，英特爾的芯片組在核心配置上將有顯著的優(yōu)化。以13、14代酷睿為例，原本占用整體芯片面積70%的運算核心，在新工藝下將僅占三分之一，且還能額外集成NPU單元，從而大幅提升芯片的整體性能與功能多樣性。
