三星電子在內存技術領域取得了新的突破。據韓媒ZDNET Korea報道，該公司已成功研發出1c nm（第六代10nm級）DRAM內存的良品晶粒，這一成果在公司內部獲得了高度評價。
然而，1c nm DRAM的量產仍面臨挑戰，首批產品的良率尚不足一成。為推進量產進程，三星電子計劃在今年底前完成首條1c nm DRAM內存量產線的建設。
▲ 三星電子HBM內存示意圖
據悉，三星下一代HBM內存HBM4預計將基于1c nm DRAM制程，以期在市場競爭中追趕并超越SK海力士與美光。
按照行業慣例，新DRAM制程通常先應用于DDR內存，再逐步擴展至LPDDR，最后在HBM上應用。但考慮到1c nm DRAM的量產時間和HBM4的預計量產時間，三星可能會打破這一常規順序。
▲ 生產線示意圖
▲ DRAM內存芯片
▲ HBM內存模塊
