近日，美國商務(wù)部正式揭曉了《CHIPS》法案激勵計劃的最新動態(tài)，宣布將向符合條件的申請者提供總計47.45億美元（折合人民幣約346.37億元）的直接資金支持。這一數(shù)字相較于今年4月初步條款備忘錄中提出的64億美元，減少了超過四分之一。
在審視了相關(guān)文件后，不難發(fā)現(xiàn)，三星電子對于在美國半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資計劃也進行了調(diào)整。從最初承諾的“超過400億美元”的投資規(guī)模，下調(diào)至如今的“超過370億美元”。同時，項目的具體細節(jié)也有所變動。
原本，三星電子計劃在得克薩斯州泰勒市建設(shè)一座集3D HBM和2.5D封裝技術(shù)于一體的先進封裝設(shè)施。然而，在最終達成的協(xié)議中，這一部分內(nèi)容被悄然刪除。泰勒市原本規(guī)劃中的兩座先進制程工廠，原定的生產(chǎn)目標(biāo)是4nm和2nm制程技術(shù)。但在最新協(xié)議中，僅提及了2nm制程技術(shù)的量產(chǎn)計劃。
這一系列變動不僅影響了項目的整體規(guī)模，還直接關(guān)聯(lián)到所能提供的高薪制造業(yè)工作崗位和建筑工作機會的數(shù)量。與4月時的數(shù)據(jù)相比，高薪制造業(yè)工作崗位從4500多個減少到了3500多個，建筑工作機會也從超過17000個降至約12000個。
從目前的調(diào)整來看，三星電子在美國的先進制程產(chǎn)能將更加聚焦于下一代尖端節(jié)點，即2nm制程技術(shù)，而非當(dāng)前已相對成熟穩(wěn)定的4nm制程。同時，三星也暫時擱置了在美國提供先進制程與先進封裝“一站式”服務(wù)的計劃。
面對這一系列調(diào)整，三星電子新任foundry負責(zé)人韓真晚表示，當(dāng)前該部門最為關(guān)鍵的任務(wù)是實現(xiàn)2nm制程技術(shù)的快速爬坡，特別是良率的提升。韓真晚強調(diào)，更出色的工藝質(zhì)量將有助于泰勒市的2nm工廠贏得美國本土無晶圓廠設(shè)計企業(yè)的青睞。
