近期，有關三星電子與英偉達在高端內(nèi)存供應方面的合作遇到了挑戰(zhàn)。據(jù)可靠消息，三星電子提交的8層和12層堆疊HBM3E內(nèi)存樣品，未能達到英偉達嚴格的性能標準，這導致原計劃在2024年內(nèi)實現(xiàn)正式供貨的希望變得渺茫。
自2023年10月以來，三星電子一直在向英偉達提供HBM3E內(nèi)存樣品進行質(zhì)量測試。然而，經(jīng)過長達一年多的時間，認證過程并未取得顯著的進展。這一消息無疑給業(yè)界帶來了不小的震動，因為三星電子一直是半導體領域的領軍企業(yè)之一。
據(jù)知情人士透露，SK海力士在HBM3E技術上已經(jīng)取得了顯著的進展，并設定了性能參數(shù)標準，目前在這一領域領先于三星電子。具體而言，三星電子的HBM3E內(nèi)存樣品在發(fā)熱和功耗等關鍵性能參數(shù)上未能滿足英偉達的要求，這成為阻礙雙方合作的關鍵因素。
這一挫折對三星電子來說無疑是一個打擊，因為在HBM3E領域，競爭對手已經(jīng)取得了領先地位。然而，三星電子并未因此放棄。據(jù)悉，公司計劃在2025年第一季度重新開始向英偉達等大客戶供應HBM3E內(nèi)存。同時，三星電子還在積極研發(fā)下一代HBM4工藝，期望通過這一新技術重新獲得競爭優(yōu)勢。
盡管面臨當前的困境，但三星電子在半導體行業(yè)的深厚底蘊和技術實力仍然不容小覷。未來，隨著新技術的不斷推出和市場的不斷變化，三星電子有望在HBM內(nèi)存領域重新找回自己的位置。
