鎧俠與南亞科技近日宣布，他們將在即將于美國加州舊金山舉行的2024 IEEE IEDM國際電子器件大會上，展示一項關于新型內存的聯合研究成果。這一成果名為OCTRAM，是一種創新的極低漏電流內存。
據悉，OCTRAM是全球首款4F2 GAA氧化物半導體通道晶體管DRAM，它采用了IGZO垂直通道晶體管，實現了內存能耗的大幅降低。兩家公司合作制造的275Mbit容量OCTRAM陣列，在設計的電壓范圍內運行穩定。
OCTRAM的制造流程經過優化，旨在強化芯片整合架構的發展。這一創新技術有望應用于AI、后5G移動通信系統以及物聯網等領域，以滿足設備對節能與性能的雙重需求。
這一研究成果的發布，標志著鎧俠與南亞科技在內存技術領域的又一重大突破。
